2003/02/02公開


Asus P4T533/Rマザーメモリー電圧可変改造


今回購入したSAMSUNG製RIMM4200(32bit)は低耐性のためか、思ったようにFSBが上がりませんでした。また、AsusのP4T533/Rマザーはメモリー電圧を変更することができないためFSBを上げることもままならない状態です。そこで、思い切ってメモリー電圧の可変改造を試みることを決意しました。いろいろなサイトの改造例を参考にして改造してみました。

改造前のSuperπの通るFSB 改造前のSuperπの通るFSBです。BIOS設定は「Turbo 4×」ですが、メモリー耐性はかなり低いです。
104万桁FSB153MHz 838万桁FSB148MHz
改造位置 メモリー電圧の改造位置はメモリースロットのすぐ横のR124抵抗を半固定抵抗に交換します。
R124を半固定抵抗に 赤枠がR124抵抗です。黄色い枠のC162はメモリー電圧を測定する場所で、チップ右側とGNDにテスターをあてて測定します。GNDはマザーを固定しているねじにテスターをあてます。
メモリー電圧 抵抗値 改造前に、メモリー電圧と抵抗値をテスターで測定してみました。メモリー電圧は2.536Vと基準値の2.5±0.13の範囲内に納まっています。
使用する1KΩの半固定抵抗 改造には、1KΩの半固定抵抗を使用します。
1番ピンと2番ピンを結線した場合、時計と反対に回すと抵抗は下がります。2番ピンと3番ピンを結線した場合には、時計と同じ方向に回すと抵抗は下がります。
一応、番号順で1番と2番のピンを使用します。
半固定抵抗の抵抗値は、マザーの抵抗値と同じに設定しておきます。抵抗値が低すぎると電圧が高くなりすぎてメモリーが壊れます。また、抵抗値が高すぎると電圧が低くなりすぎるので起動しなくなります。
改造に使用する道具です 改造に使用する道具は
1.テスター
2.ハンダゴテ
3.ハンダ吸取線
4.ハンダ
5.ニッパ
6.電線(耐熱電子ワイヤー)
7.熱収縮チューブ
8.ドライバー
半固定抵抗に交換完了 R124抵抗を取り除き、ハンダ吸取線で余分なハンダを吸取り綺麗にします。
線の被覆部分はあまり長く出さないよう必要最小限にします。露出部分が長いと他の部分に接触しショートする恐れがあるので要注意です。
ハンダ付けする箇所は小さいのと周りにコンデンサがあるのでハンダゴテを付けて焼かないよう注意が必要です。
いや〜かなり大変でしたが、我ながら良く出来たなと自己満足してます。
注)ハンダゴテの取り扱いには注意しましょう。コンデンサちょっと焼けてます。
半固定抵抗はPSコネクタの位置に固定 半固定抵抗側の結線した所は、熱収縮チューブで被覆し他に接触しショートしないようにします。
半固定抵抗はPSコネクタの所に固定して調整しやすようにします。電圧を上げる場合はドライバーを使用して時計と反対方向に回します。この際、テスターで電圧を測定しながら調整していきます。
最初に電源を入れる場合には、起動必要最小限のパーツを接続して行います。HDDは接続しません。
メモリー電圧を2.9Vに設定 テスターで測定しやすいようにC162の右側に線を接続しておいた方が測定しやすいです。今回は、C162に直接テスターを当てて測定しましたが、ショートには十分注意が必要です。
起動が確認でき、希望のメモリ電圧に設定してから各パーツを接続します。
メモリー電圧を2.9Vに設定することに成功です。
改造後のSuperπの通るFSB メモリー電圧2.9Vに上げた時、下記の通りFSBが上がりました。(BIOS設定:Turbo 4×)
104万桁:153MHz→160MHz
838万桁:148MHz→157MHz
3.1Vまで上げましたが耐性に変化が無かったので2.9Vで使用することにしました。
注)電圧の上げすぎには注意しましょう。
104万桁FSB160MHz 838万桁FSB157MHz


注)この改造は、リスクを伴いますので自己責任で行ってください。

inserted by FC2 system